3nm是5nm的自然迭代，4nm理论上说是5nm的终极改良。

技术指标方面，3nm（N3）将在明年晚些时候风险试产，2022年投入大规模量产。相较于5nm，3nm将可以带来25~30%的功耗减少、10~15%的性能提升。

4nm（N4）同样定于明年晚些时候风险试产，2022年量产。对于台积电N5客户来说，将能非常平滑地过渡到N4，也就是流片成本大大降低、进度大大加快。

当然，台积电不是唯一一家3nm厂商，三星的雄心更大，明年就想把3nm推向市场。而且在核心技术方面，三星的3nm将改用Gate-All-Around（GAA，环绕栅极晶体管），台积电则是坚守FinFET（鳍式场效应晶体管）。

三星比较鸡贼，3nm对比的是7nm，号称可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

免责声明：本文版权归原作者所有，文章系作者个人观点不代表蜗牛派立场，如若转载请联系原作者；本站仅提供信息存储空间服务，内容仅为传递更多信息之目的，如涉及作品内容、版权等其它问题都请联系kefu@woniupai.net反馈！