国家存储器基地项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。

项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。
其中,一期主要实现技术突破,并建成10万片/月产能;二期规划产能20万片/月,两期项目达产后月产能共计30万片。
免责声明:本文版权归原作者所有,文章系作者个人观点不代表蜗牛派立场,如若转载请联系原作者;本站仅提供信息存储空间服务,内容仅为传递更多信息之目的,如涉及作品内容、版权等其它问题都请联系kefu@woniupai.net反馈!
]]>免责声明:本文版权归原作者所有,文章系作者个人观点不代表蜗牛派立场,如若转载请联系原作者;本站仅提供信息存储空间服务,内容仅为传递更多信息之目的,如涉及作品内容、版权等其它问题都请联系kefu@woniupai.net反馈!
]]>免责声明:本文版权归原作者所有,文章系作者个人观点不代表蜗牛派立场,如若转载请联系原作者;本站仅提供信息存储空间服务,内容仅为传递更多信息之目的,如涉及作品内容、版权等其它问题都请联系kefu@woniupai.net反馈!
]]>