3nm是5nm的自然迭代，4nm理论上说是5nm的终极改良。

技术指标方面，3nm（N3）将在明年晚些时候风险试产，2022年投入大规模量产。相较于5nm，3nm将可以带来25~30%的功耗减少、10~15%的性能提升。

4nm（N4）同样定于明年晚些时候风险试产，2022年量产。对于台积电N5客户来说，将能非常平滑地过渡到N4，也就是流片成本大大降低、进度大大加快。

当然，台积电不是唯一一家3nm厂商，三星的雄心更大，明年就想把3nm推向市场。而且在核心技术方面，三星的3nm将改用Gate-All-Around（GAA，环绕栅极晶体管），台积电则是坚守FinFET（鳍式场效应晶体管）。

三星比较鸡贼，3nm对比的是7nm，号称可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

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曾为苹果代工A系列芯片的三星电子，近几年在芯片工艺方面虽然略晚于台积电，获得的芯片代工订单也不及台积电，但仍是唯一能在工艺上跟上台积电节奏的厂商。

台积电和三星电子的芯片工艺，目前都已到了5nm，台积电的5nm工艺是已经大规模量产，三星电子投资81亿美元的新5nm芯片工艺生产线，今年也已经开始建设。

在提升到5nm之后，三星电子也会继续研发更先进的芯片工艺。外媒最新援引产业链人士透露的消息报道称，三星电子已对芯片工艺路线图进行了调整，将跳过4nm工艺，由5nm直接上升到3nm。

不过，外媒在报道中并未提及，跳过4nm工艺之后，三星的3nm工艺会在何时大规模量产。

三星电子芯片代工竞争对手台积电的3nm工艺，是在多年前就已开始谋划，计划2021年风险试产，2022年上半年大规模量产。在6月初的报道中，外媒称台积电已经开始安装3nm工艺的生产线，早于此前的预期。

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