3nm是5nm的自然迭代，4nm理论上说是5nm的终极改良。

技术指标方面，3nm（N3）将在明年晚些时候风险试产，2022年投入大规模量产。相较于5nm，3nm将可以带来25~30%的功耗减少、10~15%的性能提升。

4nm（N4）同样定于明年晚些时候风险试产，2022年量产。对于台积电N5客户来说，将能非常平滑地过渡到N4，也就是流片成本大大降低、进度大大加快。

当然，台积电不是唯一一家3nm厂商，三星的雄心更大，明年就想把3nm推向市场。而且在核心技术方面，三星的3nm将改用Gate-All-Around（GAA，环绕栅极晶体管），台积电则是坚守FinFET（鳍式场效应晶体管）。

三星比较鸡贼，3nm对比的是7nm，号称可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

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在目前最先进的5nm工艺和2018年投产、目前技术已经很成熟的7nm中间，还有6nm，台积电也研发了这一工艺，并已经大规模投产。

台积电6nm工艺已大规模投产的消息，是他们在官网公布的。台积电官网的信息显示，他们的6nm工艺，在8月20日已开始大规模量产。

台积电官网的信息还显示，他们的6nm工艺采用的是极紫外光刻技术，理论密度将有近20%的提升。

值得注意的是，在4月16日的一季度财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家当时也曾谈到6nm工艺，当时他是透露已进入风险试产阶段，正在沿着年底大规模量产推进。

魏哲家当时还透露，采用极紫外光刻的第二代7nm工艺大规模量产进入第二年，为6nm工艺的量产也铺平了道路，由于与7nm工艺的设计规则是相同的，6nm工艺也为他们下一波7nm产品的迁移提供了清晰的路径。

台积电6nm工艺的客户方面，外媒此前提到会有英特尔。在上月底的报道中，外媒称台积电已获得英特尔2021年18万片晶圆的代工订单，采用6nm工艺。

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