蜗牛派讯SK海力士今天宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4 DRAM,据称,这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16GB,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。与上一代1Y产品相比,该产品的生产率提高了约27%,由于可以在不适用超高价的EUV(极紫外光刻)曝光工艺的情况下进行生产,其在成本上具有竞争优势。

蜗牛派讯SK海力士今天宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4 DRAM,据称,这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16GB,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。与上一代1Y产品相比,该产品的生产率提高了约27%,由于可以在不适用超高价的EUV(极紫外光刻)曝光工艺的情况下进行生产,其在成本上具有竞争优势。